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富士实现行业前沿的低损耗,扩容分立IGBT XS系列产品线
发布时间:2021-08-23        浏览次数:126        返回列表
       富士电机株式会社(总部位于日本东京,总裁北泽通宏)很高兴宣布在其分立IGBT*1 XS系列产品线中增加了额定电压为1200 V的产品,可提供行业前沿的低损耗。
 
       *1:绝缘栅双极型晶体管
 
 
        1.背景
 
        随着世界离实现低碳化社会越来越近,人们对在社会和工业基础设施中进一步节能充满期待。功率半导体器件是在例如不间断电源(UPS)、功率调节系统(PCS)和电动汽车(EV)充电器等电力电子设备*2中进行功率转换和功率控制的关键设备。UPS对于因数字革命而不断扩大投资的数据中心的稳定运行必不可少,而PCS对于可再生能源发电设施必不可少,EV充电器则支持EV充电基础设施。功率半导体器件的作用是在电路中以重复的短时间增量进行开关(打开和关闭电源),以控制电压,并在直流和交流之间进行切换。 
 
         富士电机的分立IGBT XS系列可降低开关过程中的功率损耗(开关损耗)和电流在电路中流动时的功率损耗(稳态损耗),有助于节省其配备产品的功率。除了现有的额定电压为650V的产品外,本公司已经开始出售一种新型的额定功率为1200V的产品,以适应各种容量波段的设备,包括几十kVA的UPS。他们希望扩容的产品线将有助于客户设备的设计。预计到2023年,配备这些产品的工业设备的市场将从目前的600亿日元增长到700亿日元*3,并将在全球范围内扩容,尤其是在需求旺盛的中国和中国台湾。
 
        *2:转换和控制电力的设备
 
        *3:通过FE估计
 
 
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        3.产品特征
 
        同时降低稳态损耗和开关损耗
 
        该XS系列产品配备了富士电机***新的第7代IGBT,拥有该行业内的一些较好的低损耗性能。通过优化芯片结构和减少Si(硅)衬底厚度,改善了稳态损耗和开关损耗之间的权衡。与公司的常规产品相比,稳态损耗和开关损耗分别降低了约20%和6%。 
 
 
        4. 产品规格
 
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2021-08-23本文摘自网络

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